Message
Изображение №
© 2020-2024 МСЦ РАН
Волькенштейн Федор Федорович Электропроводность полупроводников. – 1947. – 357 с.: ил.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Идеальные и реальные кристаллические решётки
§ 1. Характеристика реальной решётки
§ 2. Энергия решётки
§ 3. Электропроводность решётки
§ 4. Энергетический спектр решётки (частный случай)
§ 5. Энергетический спектр решётки (общий случай)
Глава II. Электронные уровни в идеальном кристалле
§ 1. Теория свободных электронов
§ 2. Учёт периодического поля решётки (гомеополярная решётка)
§ 3. Учёт периодического поля решётки (гетерополярная решётка)
§ 4. Учёт взаимодействия электронов
Глава III. Электронные уровни в реальном кристалле
§ 1. Постановка задачи
§ 2. Гомеополярная решётка с пустыми узлами
§ 3. Гетерополярная решётка с пустыми узлами
§ 4. Решётка с междуузельными атомами
Глава IV. Влияние температуры и примесей на электропроводность полупроводников
§ 1. Обзор экспериментальных и теоретических работ
§ 2. Общая теория электропроводности реальных гетерополярных решёток
§ 3. Сравнение теории с экспериментом
Глава V. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
§ 1. Сводка экспериментальных данных
§ 2. Влияние электрического поля на поведение электрона в решётке
§ 3. Деформация энергетических зон под влиянием электрического поля
§ 4. Ионизирующее действие поля
§ 5. Влияние поля на термическую ионизацию
Глава VI. Влияние освещения на электропроводность полупроводников
§ 1. Нормальный фотоэлектрический эффект
§ 2. Фотоэлектрически неактивное поглощение света
§ 3. Аномальный фотоэлектрический эффект